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参数资料
| 型号： | SI3445DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3445DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
2.5 V
20
T C = - 55 °C
16
V GS = 5 V thru 3 V
16
25 °C
12
8
4
0
2 V
1. 8 V
1.5 V
1 V
12
8
4
0
125 °C
0
1
2
3
4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.16
0.12
0.0 8
V GS = 2.5 V
2000
1500
1000
C oss
C iss
0.04
0.00
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.50
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
V DS = 4 V
I D = 5.6 A
V GS = 4.5 V
I D = 5.6 A
1.25
3
2
1.00
1
0
0.75
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3454ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3446ADV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3446ADV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.2W 37mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446DV | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3446DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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