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参数资料
| 型号： | SI4133-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 31/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4133 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 频率合成器 |
| 频率： | 900MHz ~ 1.8GHz，750MHz ~ 1.5GHz |
| 适用于相关产品： | SI4133 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 产品目录页面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1557 SI4133-EVB-ND |
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Si4133
4
Rev. 1.61
1. Electrical Specifications
Table 1. Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Ambient Temperature
TA
–40
25
85
°C
Supply Voltage
V
DD
2.7
3.0
3.6
V
Supply Voltages Difference
V
(VDDR – VDDD),
(VDDI – VDDD)
–0.3
—
0.3
V
Note:
All minimum and maximum specifications are guaranteed and apply across the recommended operating conditions.
Typical values apply at nominal supply voltages and an operating temperature of 25 °C unless otherwise stated.
Table 2. Absolute Maximum Ratings1,2
Parameter
Symbol
Value
Unit
DC Supply Voltage
VDD
–0.5 to 4.0
V
Input Current3
I
IN
±10
mA
Input Voltage3
VIN
–0.3 to VDD+0.3
V
Storage Temperature Range
TSTG
–55 to 150
oC
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the above Absolute Maximum Ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to the conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
2. This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating of < 2 kV. Handling and assembly of
this device should only be done at ESD-protected workstations.
3. For signals SCLK, SDATA, SEN, PWDN and XIN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LM113-200.0M | OSC 200.0000 MHZ 3.3V LVDS |
| TC32M6A32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.8V SMD |
| CGH40010F-TB | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010 |
| DV75C-012.8M | OSC TCXO 12.800 MHZ 3.3V SMD |
| 53070C | XFRMR CURR SENSE 10A 1:70 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4133G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4133G-BM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4133G-BMR | 功能描述:射频无线杂项 CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4133G-BT | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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