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参数资料
| 型号： | SI4133-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 7/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4133 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 频率合成器 |
| 频率： | 900MHz ~ 1.8GHz，750MHz ~ 1.5GHz |
| 适用于相关产品： | SI4133 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 产品目录页面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1557 SI4133-EVB-ND |
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Si4133
Rev. 1.61
15
2. Typical Application Circuits
Figure 13. Si4133-GT
Figure 14. Si4133-GM
SCLK
SDATA
GNDR
RFLD
RFLC
GNDR
RFLB
RFLA
GNDR
RFOUT
VDDR
SEN
VDDI
IFOUT
GNDI
IFLB
IFLA
GNDD
VDDD
GNDD
XIN
AUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Si4133-GT
RFOUT
560 pF
2 nH
Printed Trace
Inductor or
Chip Inductor
Printed Trace
Inductors
IFOUT
560 pF
40 nH
AUXOUT
External Clock
560 pF
From
System
Controller
0.022
V
DD
0.022
V
DD
0.022
VDD
30
*
* Add 30
series resistance if using IF output divide values 2, 4, or 8.
PWDN
F
* Add 30
series resistance if using IF output divide values 2, 4, or 8.
V
DD
30
*
4
5
6
7
1
2
3
8
9
10
11
12
13
14
15
16
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19
20
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22
23
24
25
26
27
28
Si4133-GM
GNDI
IFLB
IFLA
GNDD
VDDD
GNDD
XIN
GNDR
RFLD
RFLC
GNDR
RFLB
RFLA
GNDR
External Clock
From
System
Controller
V
DD
V
DD
IFOUT
AUXOUT
RFOUT
0.022
F
0.022
Printed Trace
Inductor or
Chip Inductor
Printed Trace
Inductors
560 pF
40 nH
2 nH
560 pF
GN
DR
GN
DR
RF
O
U
T
VDD
R
AUX
O
U
T
PW
DN
GN
DD
GN
D
R
SD
A
T
A
SC
L
K
VD
D
I
IF
O
U
T
GN
D
I
PWDN
SE
N
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LM113-200.0M | OSC 200.0000 MHZ 3.3V LVDS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4133G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4133G-BM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4133G-BMR | 功能描述:射频无线杂项 CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4133G-BT | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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