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参数资料
| 型号： | SI4134DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 846pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4134DY-T1-GE3DKR |
Si4134DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
T J = 150 °C
0.06
0.05
I D = 10 A
1
T J = 25 °C
0.04
0.03
0.1
0.01
0.001
0.02
0.01
0.00
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
8 0
64
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
4 8
- 0.2
I D = 5 mA
32
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
I D = 250 μ A
16
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68999
S11-0650-Rev. C, 11-Apr-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V-153-1C25 | SWITCH MINI SPDT 15A HINGE LEVER |
| V-15G3-1A5-K | SWITCH LEVER SPDT 15A .187QC |
| NCDUAL | CLIP NANO 0.3MM DUAL LEAD |
| 604XR-18 BLK | LEAD TEST HD XR-XR 18" BLK |
| 604XR-18 RED | LEAD TEST HD XR-XR 18" RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si4134T-BM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| Si4134T-GM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4134T-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4136 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS |
| SI4136_10 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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