参数资料
型号: SI4134DY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 846pF @ 15V
功率 - 最大: 5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: SI4134DY-T1-GE3DKR
Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
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