- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18849 > SI4134DY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4134DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 846pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4134DY-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V-153-1C25 | SWITCH MINI SPDT 15A HINGE LEVER |
| V-15G3-1A5-K | SWITCH LEVER SPDT 15A .187QC |
| NCDUAL | CLIP NANO 0.3MM DUAL LEAD |
| 604XR-18 BLK | LEAD TEST HD XR-XR 18" BLK |
| 604XR-18 RED | LEAD TEST HD XR-XR 18" RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si4134T-BM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| Si4134T-GM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4134T-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4136 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS |
| SI4136_10 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。