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参数资料
| 型号： | SI4403BDY |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | SI4403BDY |
Si4403DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71683
S-04393
—
Rev. A, 13-Aug-01
www.vishay.com
3
–
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
7
14
21
28
35
0.000
0.015
0.030
0.045
0.060
0.075
0
6
12
18
24
30
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.4 A
I
D
–
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.015
0.030
0.045
0.060
0.075
0
1
2
3
4
5
T
J
= 25 C
I
D
= 7.4 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
4
8
12
16
20
C
oss
C
iss
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