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参数资料
| 型号： | SI4404DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4404DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0065 at V GS = 10 V
0.008 at V GS = 4.5 V
SO-8
I D (A)
23
17
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
D
S
S
1
2
8
7
D
D
S
G
3
4
6
5
D
D
G
Top V ie w
S
Orderin g Information: Si4404DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4404DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
23
19
60
15
12
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
2.9
1.3
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.5
2.2
- 55 to 150
1.6
1
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
29
67
13
35
80
16
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71247
S09-0228-Rev. H, 09-Feb-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
| 158X224K | CAP FILM 0.22UF 275VAC RADIAL |
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| QXK2G225KTP | CAP FILM 2.2UF 400VDC RADIAL |
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| WMF1P1K-F | CAP FILM 0.1UF 100VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4404DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4405DY | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N |
| SI4405DY-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du |
| SI4405DY-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4405DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:1100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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