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参数资料
| 型号： | SI4404DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4404DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
60
0.2
I D = 250 μ A
50
0.0
40
- 0.2
30
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
20
10
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 67 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71247 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71247
S09-0228-Rev. H, 09-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 158X224K | CAP FILM 0.22UF 275VAC RADIAL |
| DLP2ADN161HL4L | CHOKE COIL COMMON MODE 100MA SMD |
| QXK2G225KTP | CAP FILM 2.2UF 400VDC RADIAL |
| ABLS-LR-20.000MHZ-T | CRYSTAL 20.000MHZ 18PF LOW ESR |
| WMF1P1K-F | CAP FILM 0.1UF 100VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4404DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4405DY | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N |
| SI4405DY-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du |
| SI4405DY-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4405DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:1100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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