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参数资料
| 型号： | SI4404DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4404DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.010
6000
0.00 8
5000
C iss
V GS = 4.5 V
4000
0.006
3000
V GS = 10 V
0.004
2000
C oss
0.002
1000
0.000
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 23 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 23 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
20
40
60
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.010
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.00 8
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.006
0.004
0.002
0.000
I D = 23 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71247
S09-0228-Rev. H, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4404DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4405DY | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N |
| SI4405DY-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du |
| SI4405DY-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4405DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:1100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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