型号: | SI4425DY |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
中文描述: | 11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | SO-8 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 53K |
代理商: | SI4425DY |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SI4429EDY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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SI4470EY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4425DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8 |
SI4425DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4425DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4425DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4425DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |