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参数资料
| 型号： | SI4632DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 161nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11175pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4632DY
Vishay Siliconix
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
25
R DS(on) ( Ω )
0.0027 at V GS = 10 V
0.0033 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
36
29
Q g (Typ.)
49 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? Low Q gd
? 100 % R g Tested
? UIS and Capacitance Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Synchronous Buck - Low Side
S
S
1
2
SO-8
8
7
D
D
- Notebook
- Server
- Workstation
? Synchronous Rectifier - POL
D
S
3
6
D
G
4
5
D
G
Top V ie w
S
Orderin g Information: Si4632DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4632DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
25
± 16
40
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
32
27 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
21 b, c
70
7.0
3.0 b, c
30
45
A
mJ
T C = 25 °C
7.8
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
5.0
3.5 b, c
W
T A = 70 °C
2.2 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
T J , T stg
- 55 to 150
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady
R thJA
R thJF
29
13
35
16
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.
Document Number: 73786
S11-0209-Rev. C,14-Feb-11
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4634DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4634DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4636DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 17A 4.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4636DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 17A 4.4W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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