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参数资料
| 型号： | SI4632DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 161nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11175pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4632DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.030
0.024
1
0.1
0.01
0.001
150 °C
25 °C
0.01 8
0.012
0.006
0.000
125 °C
25 °C
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
200
160
120
8 0
40
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73786
S11-0209-Rev. C,14-Feb-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4634DY-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI4636DY-T1-E3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| SI4638DY-T1-E3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
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| SI4654DY-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4634DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4634DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 24.5A 5.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4634DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4636DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 17A 4.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4636DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 17A 4.4W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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