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参数资料
| 型号： | SI4848DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4848DY-T1-GE3DKR |
Si4848DY
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
150
R DS(on) ( Ω )
0.085 at V GS = 10 V
0.095 at V GS = 6.0 V
I D (A)
3.7
3.5
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
S
Ordering Information: Si4848DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4848DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
150
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
I S
3.7
3.0
2.5
25
10
2.7
2.1
1.3
A
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
1.9
- 55 to 150
1.5
1.0
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
35
68
18
42
82
23
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71356
S09-0870-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
1
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