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参数资料
| 型号： | SI4848DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4848DY-T1-GE3DKR |
Si4848DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.15
1200
0.12
900
C iss
0.09
V GS = 6 V
600
0.06
V GS = 10 V
300
0.03
0.00
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
30
60
90
120
150
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
3.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 75 V
I D = 3.5 A
2.5
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
2.0
12
1.5
8
1.0
4
0
0.5
0.0
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71356
S09-0870-Rev. C, 18-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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