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参数资料
| 型号： | SI4920DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4920DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
30
20
0.10
0.08
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
I D = 6.9 A
1
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
T C = 25 °C
0.2
0.0
I D = 250 μ A
25
Single Pulse
20
- 0.2
15
- 0.4
10
- 0.6
- 0.8
- 1.0
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.10
1.00
10.00
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 62.5 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70667 .
www.vishay.com
4
Document Number: 70667
S09-0767-Rev. E, 04-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32524Q1226J189 | FILM CAP 22UF 5% 100V |
| B32654A3825J | FILM CAP 8.2UF 5% 250V MKP |
| LW3123-K2DG-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| 5145.0586.531 | MOD INLET/CB/MED FILTER 6A PNL |
| A12EP | SW TOGGLE FLATTED SPDT STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4920DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4921DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4921DY-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4921DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4922BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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