参数资料
型号: SI4920DY-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 6.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
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PDF描述
B32524Q1226J189 FILM CAP 22UF 5% 100V
B32654A3825J FILM CAP 8.2UF 5% 250V MKP
LW3123-K2DG-A SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
5145.0586.531 MOD INLET/CB/MED FILTER 6A PNL
A12EP SW TOGGLE FLATTED SPDT STRAIGHT
相关代理商/技术参数
参数描述
SI4920DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4921DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
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