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参数资料
| 型号： | SI4932DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4932DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
0.1
P DM
0.05
t 1
t 1
t 2
0.02
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
0.01
Single Pulse
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?69012 .
www.vishay.com
6
Document Number: 69012
S-83042-Rev. A, 22-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4933DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH DUAL 12V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4933DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4933DY-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4933DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4933DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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