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参数资料
| 型号： | SI5402DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5402DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
1200
0.08
1000
C iss
800
0.06
V GS = 4.5 V
600
0.04
V GS = 10 V
400
0.02
0.00
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 4.9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 4.9 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 4.9 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71062
S09-1503-Rev. D, 10-Aug-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
| ABLS-LR-9.216MHZ-T | CRYSTAL 9.216MHZ 18PF LOW ESR |
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| 284TBCF104A26A1 | POT PRECISION 100K OHM CP IP67 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5402DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5402DC-T2 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5402DC-T3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5403DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5403DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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