参数资料
型号: SI5402DC-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 4.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
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PDF描述
ABLS-LR-9.216MHZ-T CRYSTAL 9.216MHZ 18PF LOW ESR
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相关代理商/技术参数
参数描述
SI5402DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5402DC-T2 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5402DC-T3 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5403DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI5403DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube