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参数资料
| 型号： | SI5403DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1340pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 6.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5403DC-T1-GE3DKR |
New Product
Si5403DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 10 thru 4 V
5
4
3
2
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
4
0
V GS = 3 V
1
0
T C = 125 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.7
1.4
2.1
2. 8
3.5
0.05
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.04
V GS = 4.5 V
1 8 00
0.03
0.02
0.01
V GS = 10 V
1200
600
C rss
C iss
C oss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 7.2 A
V DS = 15 V
1.4
V GS = 10 V , I D = 6.0 A
6
V DS = 24 V
1.2
4
2
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V, I D = 7.2 A
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68643
S-81443-Rev. A, 23-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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| SI5404BDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.5A 2.5W 28mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5404DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Specification Comparison |
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