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参数资料
| 型号： | SI5441DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5441DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.4
I D = 250 μA
50
40
30
0.2
20
0.0
10
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 1
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 8 0 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71055 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71055
S10-0210-Rev. E, 25-Jan-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CS-023-114.285M | CRYSTAL 114.285 MHZ 18PF SMD |
| 944U700K142ACM | CAP FILM 70UF 1.4KVDC SCREW |
| ASA-44.000MHZ-L-T | OSC 44.000 MHZ 3.3V SMD |
| SFD66S40K491B-F | CAP FILM 40UF 660VAC QC TERM |
| ASA-41.625MHZ-L-T | OSC 41.625 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5441DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.3A 2.5W 55mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5442DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 10mOhm@4.5V 25A N-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:20 V 闸/源击穿电压:+/- 8V 漏极连续电流:25 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:10 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK ChipFET-8 Single 封装:Reel |
| SI5443DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI5443DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5443DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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