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参数资料
| 型号： | SI5441DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
1206-8 ChipFET R
4
D
L
8
7
6
5
4
E 1
E
5
4
6
3
7
2
8
1
1
2
3
4
S
e
b
c
x
Backside View
2X 0.10/0.13 R
A
DETAIL X
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
All dimensions are in millimeaters.
Mold gate burrs shall not exceed 0.13 mm per side.
Leadframe to molded body offset is horizontal and vertical shall not exceed
0.08 mm.
Dimensions exclusive of mold gate burrs.
No mold flash allowed on the top and bottom lead surface.
MILLIMETERS
INCHES
Dim
A
b
c
c1
D
E
E 1
e
L
Min
1.00
0.25
0.1
0
2.95
1.825
1.55
0.28
Nom
?
0.30
0.15
?
3.05
1.90
1.65
0.65 BSC
?
Max
1.10
0.35
0.20
0.038
3.10
1.975
1.70
0.42
Min
0.039
0.010
0.004
0
0.116
0.072
0.061
0.011
Nom
?
0.012
0.006
?
0.120
0.075
0.065
0 .0256 BS C
?
Max
0.043
0.014
0.008
0.0015
0.122
0.078
0.067
0.017
S
0.55 BSC
5 _ Nom
0.022 BSC
5 _ Nom
ECN: C-03528—Rev. F, 19-Jan-04
DWG: 5547
Document Number: 71151
15-Jan-04
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CS-023-114.285M | CRYSTAL 114.285 MHZ 18PF SMD |
| 944U700K142ACM | CAP FILM 70UF 1.4KVDC SCREW |
| ASA-44.000MHZ-L-T | OSC 44.000 MHZ 3.3V SMD |
| SFD66S40K491B-F | CAP FILM 40UF 660VAC QC TERM |
| ASA-41.625MHZ-L-T | OSC 41.625 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5441DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.3A 2.5W 55mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5442DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 10mOhm@4.5V 25A N-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:20 V 闸/源击穿电压:+/- 8V 漏极连续电流:25 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:10 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK ChipFET-8 Single 封装:Reel |
| SI5443DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI5443DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5443DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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