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参数资料
| 型号： | SI5504DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5504DC-T1-E3DKR |
Si5504DC
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
1.0
- 1.0
± 100
± 100
V
nA
V DS = 24 V, V GS = 0 V
N-Ch
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = - 24 V, V GS = 0 V
V DS = 24 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
P-Ch
N-Ch
-1
5
μA
V DS = - 24 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
P-Ch
-5
On-State Drain Current a
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 10 V
V GS = 10 V, I D = 2.9 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
10
- 10
0.072
0.085
A
Drain-Source On-State Resistance a
R DS(on)
V GS = - 10 V, I D = - 2.1 A
V GS = 4.5 V, I D = 2.2 A
P-Ch
N-Ch
0.137
0.120
0.165
0.143
Ω
V GS = - 4.5 V, I D = - 1.6 A
P-Ch
0.240
0.290
Forward Transconductance a
g fs
V DS = 15 V, I D = 2.9 A
V DS = - 15 V, I D = - 2.1 A
N-Ch
P-Ch
6
3
S
Diode Forward Voltage a
V SD
I S = 0.9 A, V GS = 0 V
I S = - 0.9 A, V GS = 0 V
N-Ch
P-Ch
0.8
- 0.8
1.2
- 1.2
V
Dynamic b
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Source-Drain Reverse Recovery Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t rr
N-Channel
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 2.9 A
P-Channel
V DS = - 15 V, V GS = - 10 V, I D = - 2.1 A
N-Channel
V DD = 15 V, R L = 15 Ω
I D ? 1 A, V GEN = 10 V, R g = 6 Ω
P-Channel
V DD = - 15 V, R L = 15 Ω
I D ? - 1 A, V GEN = - 10 V, R g = 6 Ω
I F = 0.9 A, dI/dt = 100 A/μs
I F = - 0.9 A, dI/dt = 100 A/μs
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
5
5.5
0.8
1.2
1.0
0.9
7
8
12
11
12
14
7
8
40
40
7.5
6.6
11
12
18
18
18
21
11
12
80
80
nC
ns
Notes:
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
www.vishay.com
2
Document Number: 71056
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
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