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参数资料
| 型号： | SI5504DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5504DC-T1-E3DKR |
Si5504DC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 10 V thru 5 V
8
10
8
6
4
4V
6
4
T C = - 125 °C
2
3V
2
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
400
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.15
0.10
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
300
200
100
0
C rss
C iss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 2.9 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 2.9 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71056
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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参数描述 |
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