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参数资料
| 型号： | SI5853DDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5853DDC-T1-E3DKR |
Si5853DDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 5 V thru 2.5 V
V GS = 2 V
4
3
6
2
4
2
V GS = 1.5 V
1
T C = 25 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.30
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
700
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 1.8 V
500
0.20
0.15
400
C iss
V GS = 2.5 V
300
0.10
200
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6
4
2
0
I D = 2.9 A
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V, 2.5 V, 1.8 V
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68979
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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