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参数资料
| 型号： | SI5853DDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5853DDC-T1-E3DKR |
Si5853DDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 1
t 2
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/ W
S ingle Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 68979
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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