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参数资料
| 型号： | SI5935DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5943DU-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK |
| SI5975DC-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| SI5980DU-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET |
| SI6404DQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
| SI6413DQ-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5936DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5938DU | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5938DU-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 8.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5938DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5941DU | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
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