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参数资料
| 型号： | SI6933DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6933DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
20
16
12
8
V GS = 10 thru 5 V
4V
16
12
8
T C = 125 °C
4
3V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.20
0.16
0.12
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1500
1200
900
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.08
V GS = 4.5 V
600
0.04
V GS = 10 V
300
C rss
C oss
0
0
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 15 V
I D = 3.5 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
8
1.4
6
4
1.2
1.0
0.8
2
0.6
0
0.4
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70640
S-81056-Rev. D, 12-May-08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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