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参数资料
| 型号： | SI6933DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6933DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
T J = 150 °C
0.20
0.16
0.12
1
T J = 25 °C
0.08
0.04
0
I D = 3.5 A
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
2
4
6
8
10
0.8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.6
30
0.4
I D = 250 μA
0.2
20
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
T ime (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 125 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?70640 .
www.vishay.com
4
Document Number: 70640
S-81056-Rev. D, 12-May-08
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PDF描述 |
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参数描述 |
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