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参数资料
| 型号： | SI7115DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 150V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7115DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
16
V GS = 10 thr u 6 V
2.0
1.6
12
8
5 V
1.2
0. 8
T C = 125 °C
4
4 V
0.4
25 °C
- 55 °C
0
0.0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 6 V
V GS = 10 V
1700
1360
1020
6 8 0
340
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0.1
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 3 A
V DS = 250 V
1.9
I D = 4 A
V GS = 10 V
1.6
6
V DS = 100 V
1.3
V GS = 6 V
4
V DS = 75 V
1.0
2
0
0.7
0.4
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73864
S11-1908-Rev. C, 26-Sep-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| SI7116DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7116DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7117DNT1E3 | 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free |
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