- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录512 > SI7115DN-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 150V PPAK 1212-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7115DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 150V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7115DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
2.0
1.6
10
1
0.1
T J = 150 °C
25 °C
1.2
0. 8
0.4
0.0
25 °C
125 °C
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
0.7
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.1
- 0.2
- 0.5
I D = 5 mA
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
100
10
*Limited b y r DS(on )
1 ms s
10 m s
1
100 m s
1 s
1
0.1
10 s
dc
1 ms
T A = 25 °C
Sin gle le P u lse e
0.01
0.0 1
0.1
1
10
100
10 ms
V DS S – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
0.1
T A = 25 °C
* V GS S
minim u m V GS S at w hich r DS(on ) is specified
100 ms
1s
10 s
0.01
0.1
Single P u lse
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
DC
1000
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73864
S11-1908-Rev. C, 26-Sep-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7120DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 |
| SI7123DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 |
| SI7129DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 |
| SI7135DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7136DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7115DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7116DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
| SI7116DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7116DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7117DNT1E3 | 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。