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参数资料
| 型号： | SI7129DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.4 毫欧 @ 14.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3345pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7129DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7129DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
45
30
15
0
V GS = 10 V thr u 5 V
4 V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
25 oC
125 oC
- 55 oC
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
0.030
0.025
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3600
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
2400
1 8 00
C iss
V GS = 10 V
0.010
1200
0.005
600
C rss
C oss
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 14.4 A
8
1.5
6
4
2
V DS = 15 V , I D = 14.4 A
V DS = 24 V , I D = 14.4 A
1.2
0.9
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
0
10
20
30
40
50
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68966
S10-2023-Rev. B, 06-Sep-10
T J - J u nction Temperat u re (oC)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7135DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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