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参数资料
| 型号： | SI7148DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 35V |
| 功率 - 最大： | 96W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7148DP
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a, b
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
18
1.0
23
1.3
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
75
75
-6
V
mV/°C
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 5 mA
1.5
2.0
2.3
2.5
V
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
V DS = 75 V, V GS = 0 V
V DS = 75 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
30
± 100
1
10
nA
μA
A
Drain-Source On-State Resistance a
Forward Transconductance a
R DS(on)
g fs
V GS = 10 V, I D = 15 A
V GS = 4.5 V, I D = 13.5 A
V DS = 15 V, I D = 15 A
0.0091
0.012
60
0.011
0.0145
Ω
S
Dynamic
b
Input Capacitance
C iss
2900
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = 35 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
370
196
pF
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Q g
Q gs
V DS = 38 V, V GS = 10 V, I D = 15 A
V DS = 38 V, V GS = 4.5 V, I D = 15 A
68
33
9.5
100
50
nC
Gate-Drain Charge
Q gd
16.8
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
0.5
1.1
1.7
Ω
Turn-On Delay Time
t d(on)
33
50
Rise Time
Turn-Off Delay Time
t r
t d(off)
V DD = 38 V, R L = 3.8 Ω
I D ? 10 A, V GEN = 4.5 V, R g = 1 Ω
255
35
390
55
Fall Time
Turn-On Delay Time
t f
t d(on)
100
17
150
26
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = 38 V, R L = 3.8 Ω
I D ? 10 A, V GEN = 10 V, R g = 1 Ω
46
39
18
70
60
30
www.vishay.com
2
Document Number: 73314
S09-0273-Rev. B, 16-Feb-09
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