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参数资料
| 型号： | SI7328DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 18.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si7328DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
48
36
24
12
0
V GS = 10 thru 3 V
2.5 V
60
48
36
24
12
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
1 2 3 4
5
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
0.012
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3500
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.009
0.006
0.003
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
0
15
30
45
60
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 18.9 A
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 17.8 A
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73960
S-81005-Rev. B, 05-May-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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