参数资料
型号: SI7370DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V
功率 - 最大: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
相关PDF资料
PDF描述
SI7374DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7382DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SI7388DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7390DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
SI7374DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7374DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7380ADP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7380ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7380ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube