| 型号: | SI7425DN-T1-GE3 |
| 厂商: | Vishay Siliconix |
| 文件页数: | 1/12页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
| 系列: | TrenchFET® |
| FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8.3A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 16 毫欧 @ 12.6A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 300µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 39nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装: | 带卷 (TR) |