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参数资料
| 型号： | SI7465DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 64 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7465DP-T1-GE3DKR |
Si7465DP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
0.12
0.10
1800
1500
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
600
300
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 30 V
I D = 5 A
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 5 A
1.6
12
1.4
1.2
8
1.0
4
0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
Qg - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.30
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.25
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I D = 5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
S13-2263-Rev. D, 04-Nov-13
3
Document Number: 73113
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7465DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A, SOIC |
| SI7469DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SI7469DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7469DP-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 28A SOIC |
| SI7469DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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