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参数资料
| 型号： | SI7948DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7948DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7948DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
100
0.4
80
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
I D = 250 μA
60
40
T A = 25 °C
Single Pulse
- 0.6
20
- 0.8
- 1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10 Limited by
R DS(on) *
1
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
0.1
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1s
10 s
0.01
BV DS S Limited
DC, 100 s
0.1
1
1 0
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V DS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0 .1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1 . Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z th JA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
1 0
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72403
S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7956DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| SI7958DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC |
| SI7964DP-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
| SI7994DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC |
| SI7997DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7949DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7949DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7956DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7956DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7956DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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