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参数资料
| 型号： | SI8401DB |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Single P-Channel MOSFET; |
| 中文描述： | 单P沟道MOSFET |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | SI8401DB |
Si8401DB
Vishay Siliconix
Document Number: 71674
S-40384—Rev. F, 01-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
1
2
3
4
5
6
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
300
600
900
1200
1500
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 1 A
10
1
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I
S
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
r
D
(
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI8401DB-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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