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参数资料
| 型号： | SI8405AB-A-IS1R |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 22/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 10M 6CH 2.5K 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/3 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 传输延迟： | 20ns |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si840x
5. Errata and Design Migration Guidelines
The following errata apply to Revision A devices only. See "7.Ordering Guide" on page 25 for more details. No
errata exist for Revision B devices.
5.1. Power Supply Bypass Capacitors (Revision A and Revision B)
When using the Si840x isolators with power supplies > 4.5 V, sufficient VDD bypass capacitors must be present on
both the VDD1 and VDD2 pins to ensure the VDD rise time is less than 0.5 V/μs (which is > 9 μs for a > 4.5 V
supply). Although rise time is power supply dependent, > 1 μF capacitors are required on both power supply pins
(VDD1, VDD2) of the isolator device.
5.1.1. Resolution
For recommendations on resolving this issue, see "3.3.1.Supply Bypass" on page 14. Additionally, refer to
"7.Ordering Guide" on page 25 for current ordering information.
22
Rev. 1.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8463BA-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8461BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8462BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8463BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8460BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si8405AB-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405AB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:12-V P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI8405DB-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI8405DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 12V 4.9A 2.77W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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