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参数资料
| 型号： | SI8405AB-A-IS1R |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 6/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 10M 6CH 2.5K 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/3 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 传输延迟： | 20ns |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si840x
Table 3. Si8400/01/02/05 Electrical Characteristics for Bidirectional I 2 C Channels 1 (Continued)
3.0 V < VDD < 5.5 V. TA = –40 to +125 °C. Typical specs at 25 °C unless otherwise noted.
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Timing Specifications (Measured at 1.40 V Unless Otherwise Specified)
Maximum I 2 C bus Frequency
Fmax
—
—
1.7
MHz
Propagation Delay
5 V Operation
Side A to side B rising 5
Side A to side B falling 5
Side B to side A rising
Side B to side A falling
3.3 V Operation
Side A to side B rising 5
Side A to side B falling 5
Side B to side A rising
Side B to side A falling
Tphab
Tplab
Tphba
Tplba
Tphab
Tplab
Tphba
Tplba
No bus capacitance,
R1 = 1400,
R2 = 499,
See Figure 2
R1 = 806
R2 = 499
—
—
—
—
—
—
—
—
25
15
20
9.0
28
13
20
10
29
22
30
12
35
18
40
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Pulse width distortion
No bus capacitance,
5V
Side A low to Side B low 5
Side B low to Side A low
3.3 V
Side A low to Side B low 5
Side B low to Side A low
PWDAB
PWDBA
PWDAB
PWDBA
R1 = 1400,
R2 = 499,
See Figure 2
R1 = 806,
R2 = 499
—
—
—
—
9.0
11
15
11
15
20
22
30
ns
ns
ns
ns
Notes:
1. All voltages are relative to respective ground.
2. V IL < 0.450 V, V IH > 0.780 V.
3. Logic low output voltages are 910 mV max from –10 to 125 °C at 3.0 mA.
Logic low output voltages are 955 mV max from –40 to 125 °C at 3.0 mA.
Logic low output voltages are 825 mV max from –10 to 125 °C at 0.5 mA.
Logic low output voltages are 875 mV max from –40 to 125 °C at 0.5 mA.
See “AN375: Design Considerations for Isolating an I 2 C Bus or SMBus” for additional information.
4. I 2 C ? V (Side A) = I 2 CV OL (Side A) – I 2 CV T (Side A). To ensure no latch-up on a given bus, I 2 C ? V (Side A) is the
minimum difference between the output logic low level of the driving device and the input logic threshold.
5. Side A measured at 0.6 V.
6
Rev. 1.6
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si8405AB-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405AB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:12-V P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI8405DB-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI8405DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 12V 4.9A 2.77W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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