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参数资料
| 型号： | SI8405AB-A-IS1R |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 10M 6CH 2.5K 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/3 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 传输延迟： | 20ns |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si840x
Table 5. Electrical Characteristics for All I 2 C and Non-I 2 C Channels
3.0 V < VDD < 5.5 V. TA = –40 to +125 °C. Typical specs at 25 °C
Parameter
VDD Undervoltage Threshold
VDD Negative-going Lockout
Symbol
VDDUV+
VDDH–
Test Condition
AVDD, BVDD rising
AVDD, BVDD falling
Min
2.15
45
Typ
2.3
75
Max
2.5
95
Unit
V
mV
Hysteresis
Common Mode Transient
Immunity
Shut Down Time from UVLO
Start-up Time *
CMTI
t SD
t START
V I = V DD or 0 V
—
—
—
25
3.0
15
—
—
40
kV/μs
μs
μs
*Note: Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
1.4 V
Typical
Input
Typical
Output
1.4 V
t PLH
90%
10%
t r
90%
10%
t PHL
t f
Figure 1. Propagation Delay Timing (Non-I 2 C Channels)
1.1. Test Circuits
Figure 2 depicts the timing test diagram.
AVDD
BVDD
R 1
R 1
NC
NC
R 2
R 2
ASDA
ADIN
ADOUT
ASCL
BSDA
BDOUT
BDIN
BSCL
C 1
C 1
C 3
NC NC
AGND BGND
C 3
C 2
C 2
Si840x
Figure 2. Simplified Timing Test Diagram
8
Rev. 1.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8463BA-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8461BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8462BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8463BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8460BB-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si8405AB-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405AB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8405DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:12-V P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI8405DB-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI8405DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 12V 4.9A 2.77W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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