- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18842 > SI8518-C-IS (Silicon Laboratories Inc)SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI8518-C-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 7/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC |
| 标准包装： | 38 |
| 电流 - 感应： | 10A |
| 精确度： | ±5% |
| 灵敏度： | 196mV/A |
| 电流 - 电源： | 4mA |
| 传感器类型： | 闭环 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 输出： | 可配置 |
| 频率： | 50kHz ~ 1MHz |
| 电极标记： | 单向 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 336-1734-5 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页当前第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
Si85xx
Table 5. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics*
Parameter
Symbol
Test Condition
Characteristic
Unit
SOIC-20
Maximum Working Insulation Voltage
V IORM
1414
V peak
Input to Output Test Voltage
V PR
Method b1
2652
V peak
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 s
8000
V peak
Pollution Degree
(DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at T S , V IO = 500 V
R S
>10 9
W
Note: The Si85xx is suitable for basic and reinforced electrical isolation only within the safety limit data. Maintenance of the
safety data is ensured by protective circuits. The Si85xx provides a climate classification of 40/125/21. Note that the
Si85xx is compliant with the IEC60747-5-2 but neither certified nor inspected to IEC60747-5-2. The Si85xx is
compliant, certified, and factory-inspected to IEC60950.
Table 6. IEC Safety Limiting Values 1
Case Temperature
Safety Input Current
Parameter
Symbol
T S
I S
Test Condition
? JA = 85, V DD = 5.5 V,
SOIC-20
150
30
Unit
°C
A
IIN to IOUT = 20 A,
T J = 150 °C, T A = 25 °C
Device Power Dissipation 2
P D
0.9
W
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure. Refer to the thermal derating curve in Figure 1.
2. The Si85xx is tested with V DD = 5.5 V, T J = 150 oC, C L = 15 pF, and with an input current from IIN to IOUT equal to
20 Amps at 500 kHz (duty cycle = 50%).
Preliminary Rev. 0.4
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D3V-11G-1C23 | SWITCH SNAP 11A SPDT .187 QC |
| SI8517-C-IS | SENSOR CURR 5A 5.5V UNI 20SOIC |
| T7H8167504DN | SCR PHASE CTRL MOD 1600V 750A |
| 684-36 R/B | LEAD TEST ALLIG CLIP 36" RED/BLK |
| PT080-8-0 | CORD PATCH PIN TIP PLUG 8" BLACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8518-C-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:10A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT WITH FAULT OUTPUT 5KV SOIC20 - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:10A Curr Sensor Dual Output FAULT 5kV |
| Si8519-B-GM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A Current Snsr Dual Out w/FAULT out RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
| Si8519-C-GM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A Current Sensor Dual w/FAULT output RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
| SI8519-C-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:20A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT WITH FAULT OUTPUT - Tape and Reel |
| Si8519-C-IM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A DUAL OUTPUT 1kV W/FAULT OUTPUT RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。