- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录368620 > Si8900EDB (Vishay Intertechnology,Inc.) ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits PDF资料下载
参数资料
| 型号： | Si8900EDB |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits |
| 中文描述： | ESD保护双向P沟道MOSFET，用于电池保护电路 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | SI8900EDB |
Si8900EDB
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71830
S-21474
—
Rev. D, 26-Aug-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 5 thru 1.5 V
25 C
T
C
= 125 C
-55 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1 V
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-0.0
0.1
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 3.7 V
V
GS
= 4.5 V
I
S1S2
= 1 A
I
S1S2
= 1 A
I
S1S2
= 5 A
I
S1S2
= 1.1 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8901EDB | ESD-protected bidirectional P-Ch. MOSFET for battery protection circuits |
| SI9108 | 1-W High-Voltage Switchmode Regulator |
| SI9110DJ-E3 | High-Voltage Switchmode Controllers |
| SI9110DYT1-E3 | High-Voltage Switchmode Controllers |
| SI9111DJ-E3 | High-Voltage Switchmode Controllers |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8900EDB-T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 5.4A 10PIN MICRO FOOT - Tape and Reel |
| SI8900EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si8901B-A01-GS | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV iso monitoring ADC with I2C bus RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8901B-A01-GSR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:2.5 KV ISOLATED MONITORING ADC WITH I2C BUS - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ADC ISO MONITORING 2.5KV I2C 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ADC 10BIT I2C/SRL SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:2.5 kV Monitoring ADC with UART bus |
| Si8901D-A01-GS | 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV iso monitoring ADC with I2C bus RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。