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参数资料
| 型号： | SI9407BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
5
V GS = 3 V
1
T C = 150 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.30
0.25
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
8 00
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.15
V GS = 4.5 V
0.10
V GS = 10 V
400
0.05
0
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 3.2 A
1.6
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
1.4
6
4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9407BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI9407BDY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 4.7A SOIC |
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