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参数资料
| 型号： | SI9407BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI9933CDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
| SIA406DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6 |
| SIA421DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| SIA432DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9407BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI9407BDY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 4.7A SOIC |
| SI9407DY | 制造商:SILX 功能描述: |
| SI9410BDY | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SI9410BDY_05 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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