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参数资料
| 型号： | SIA421DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA421DJ-T1-GE3DKR |
SiA421DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
35
30
25
V GS = 10 V thr u 5 V
10
8
20
V GS = 4 V
6
15
10
5
0
V GS = 3 V
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.12
0.10
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
1200
900
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
0.02
0
300
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 7.9 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 5.3 A
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V , 4.5 V
0
5
10
15
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73975
S12-1959-Rev. E, 13-Aug-12
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SIA421DJ-T4-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SIA425EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA426DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA426DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA427DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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