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参数资料
| 型号： | SIA421DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA421DJ-T1-GE3DKR |
SiA421DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
T J = 150 °C
0.12
0.10
0.0 8
I D = 5.3 A
10
1
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0
125 °C
25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
2 4 6
8
10
2.4
2.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
20
2.0
15
1. 8
10
1.6
5
1.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
10
Limited b y R DS(on) *
I D(on) Limited
I DM Limited
100 μ s
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
B V DSS Limited
0.01
0.1
* V GS
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73975
S12-1959-Rev. E, 13-Aug-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA432DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
| SIA443DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 |
| SIA448DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| SIA461DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA421DJ-T4-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SIA425EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA426DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA426DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA427DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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