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参数资料
| 型号： | SIA421DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA421DJ-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC70-6L Single
0.300 (0.012)
0.650 (0.026)
0.550 (0.022)
0.475 (0.019)
0.350 (0.014)
0.275 (0.011)
2.200 (0.087)
1.500
(0.059)
0.870 (0.034)
0.235 (0.009)
0.355 (0.014)
0.350 (0.014)
1
0.650 (0.026)
0.300 (0.012)
0.950 (0.037)
Dimensions in mm/(Inches)
Return to Index
Document Number: 70486
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA421DJ-T4-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SIA425EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA426DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA426DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA427DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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